casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / JAN2N3811L
Número da peça de fabricante | JAN2N3811L |
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Número da peça futura | FT-JAN2N3811L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JAN2N3811L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-78-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3811L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N3811L-FT |
2N2919L
Microsemi Corporation
2N2919U
Microsemi Corporation
2N2920L
Microsemi Corporation
2N2920U
Microsemi Corporation
2N3810L
Microsemi Corporation
2N3810U
Microsemi Corporation
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2N5795
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SLA4036
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SLA4051
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XCS30XL-5CS280C
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LFE2-50E-6F672I
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