casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / 2N2919L
Número da peça de fabricante | 2N2919L |
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Número da peça futura | FT-2N2919L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N2919L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-78-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2919L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N2919L-FT |
2N6990
Microsemi Corporation
2N6988
Microsemi Corporation
2N6987
Microsemi Corporation
2N2920
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ZDT1147TA
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ZDT1147TC
Diodes Incorporated
MD2219A
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MD2369A
Central Semiconductor Corp
MPQ6002
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MPQ3762
Central Semiconductor Corp
XC3S700A-4FTG256I
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XCV200E-6FG456C
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PL68
Microsemi Corporation
EP3C10U256C7
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5SGXEA5K2F40I2L
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EP1M350F780C5
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5SGXEABN3F45C3N
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LFE2-35SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
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