casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / JAN2N3810
Número da peça de fabricante | JAN2N3810 |
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Número da peça futura | FT-JAN2N3810 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JAN2N3810 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-78-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3810 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N3810-FT |
2N2060L
Microsemi Corporation
2N2919
Microsemi Corporation
2N2919L
Microsemi Corporation
2N2919U
Microsemi Corporation
2N2920L
Microsemi Corporation
2N2920U
Microsemi Corporation
2N3810L
Microsemi Corporation
2N3810U
Microsemi Corporation
2N3838
Microsemi Corporation
2N5795
Microsemi Corporation
XC6SLX25-2FGG484C
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA484I
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8
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5SGXEA4K3F35I3LN
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XC2VP40-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7F672C
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LCMXO2-7000HE-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-2
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5SGSMD3H1F35C2N
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