casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N2605
Número da peça de fabricante | JAN2N2605 |
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Número da peça futura | FT-JAN2N2605 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/354 |
JAN2N2605 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Potência - Max | 400mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-46-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2605 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N2605-FT |
JANTX2N3501
Microsemi Corporation
JANS2N3637
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JANTX2N5682
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JAN2N3501
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Microsemi Corporation
JANS2N3501
Microsemi Corporation
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JANTXV2N3019S
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XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
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EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel