casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTXV2N3019S
Número da peça de fabricante | JANTXV2N3019S |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N3019S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/391 |
JANTXV2N3019S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potência - Max | 800mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3019S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N3019S-FT |
PBSS4140T,235
Nexperia USA Inc.
PBSS4230T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS4320T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5130T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5160T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5250T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5250THR
Nexperia USA Inc.
PBSS5350THR
Nexperia USA Inc.
PMBS3906,215
Nexperia USA Inc.
PMBS3906,235
Nexperia USA Inc.
A3PN015-QNG68I
Microsemi Corporation
XC6VCX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
Intel
5SGXMA4K3F40I4N
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EPF10K10AQC208-3N
Intel