casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXXQ30N60B3M
Número da peça de fabricante | IXXQ30N60B3M |
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Número da peça futura | FT-IXXQ30N60B3M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | XPT™, GenX3™ |
IXXQ30N60B3M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 33A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 140A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 24A |
Potência - Max | 90W |
Energia de comutação | 550µJ (on), 800µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 39nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 23ns/150ns |
Condição de teste | 400V, 24A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 36ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXQ30N60B3M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXXQ30N60B3M-FT |
IXSH25N120AU1
IXYS
IXSH30N60AU1
IXYS
IXSH30N60B
IXYS
IXSH30N60B2D1
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