casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXSH30N60BD1
Número da peça de fabricante | IXSH30N60BD1 |
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Número da peça futura | FT-IXSH30N60BD1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXSH30N60BD1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 55A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 110A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 55A |
Potência - Max | 200W |
Energia de comutação | 1.5mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 100nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 30ns/150ns |
Condição de teste | 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD (IXSH) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSH30N60BD1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXSH30N60BD1-FT |
IXGH20N120BD1
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IXGH20N120IH
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IXGH20N140C3H1
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