casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTQ110N10P
Número da peça de fabricante | IXTQ110N10P |
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Número da peça futura | FT-IXTQ110N10P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHT™ |
IXTQ110N10P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 480W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ110N10P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTQ110N10P-FT |
IXTP152N085T
IXYS
IXTP15N20T
IXYS
IXTP160N075T
IXYS
IXTP160N085T
IXYS
IXTP180N055T
IXYS
IXTP180N085T
IXYS
IXTP182N055T
IXYS
IXTP1N80
IXYS
IXTP1R4N60P
IXYS
IXTP1R6N50P
IXYS
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel