casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP1R4N60P
Número da peça de fabricante | IXTP1R4N60P |
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Número da peça futura | FT-IXTP1R4N60P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHV™ |
IXTP1R4N60P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP1R4N60P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTP1R4N60P-FT |
IXFP7N80P
IXYS
IXFP8N50P3
IXYS
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