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IXYS IXTD3N60P-2J

Número da peça MFG
IXTD3N60P-2J
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39220 Peças
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
PolarHV™ MOSFET N-CH 600
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXTD3N60P-2J Especificações

Número da peça de fabricante IXTD3N60P-2J
Número da peça futura FT-IXTD3N60P-2J
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series PolarHV™
IXTD3N60P-2J Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 411pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 70W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Die
Pacote / caso Die
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD3N60P-2J Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXTD3N60P-2J-FT

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