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IXYS IXTD1R4N60P 11

Name: IXTD1R4N60P 11
Brand: IXYS
SKU: IXTD1R4N60P 11
Availability: InStock
Rating: 4.9 (27 reviews)

Número da peça MFG: IXTD1R4N60P 11

Quantidade disponível: 17880 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: IXYS

Descrição breve: PolarHV™ MOSFET N-CH 600V

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXTD1R4N60P 11.pdf

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IXTD1R4N60P 11 Especificações

Número da peça de fabricante	IXTD1R4N60P 11
Número da peça futura	FT-IXTD1R4N60P 11
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PolarHV™
IXTD1R4N60P 11 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Die
Pacote / caso	Die
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD1R4N60P 11 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXTD1R4N60P 11-FT

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