casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXGC16N60C2D1
Número da peça de fabricante | IXGC16N60C2D1 |
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Número da peça futura | FT-IXGC16N60C2D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFAST™ |
IXGC16N60C2D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 100A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 12A |
Potência - Max | 63W |
Energia de comutação | 60µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 32nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 25ns/60ns |
Condição de teste | 400V, 12A, 22 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOPLUS220™ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS220™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGC16N60C2D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXGC16N60C2D1-FT |
APT70GR65B2SCD30
Microsemi Corporation
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