casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT70GR65B2SCD30
Número da peça de fabricante | APT70GR65B2SCD30 |
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Número da peça futura | FT-APT70GR65B2SCD30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
APT70GR65B2SCD30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 134A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 260A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
Potência - Max | 595W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | - |
Carga do Portão | 305nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
Condição de teste | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | T-MAX™ [B2] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT70GR65B2SCD30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT70GR65B2SCD30-FT |
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XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
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10AX066N3F40E2LG
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