casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH50N30
Número da peça de fabricante | IXTH50N30 |
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Número da peça futura | FT-IXTH50N30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXTH50N30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 400W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 (IXTH) |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH50N30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTH50N30-FT |
IXTH130N20T
IXYS
IXTH140P05T
IXYS
IXTH140P10T
IXYS
IXTH16N10D2
IXYS
IXTH16N50D2
IXYS
IXTH22N50P
IXYS
IXTH260N055T2
IXYS
IXTH26N60P
IXYS
IXTH270N04T4
IXYS
IXTH2N150L
IXYS
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel