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IXYS IXFN55N50

Número da peça MFG
IXFN55N50
Quantidade disponível
23510 Peças
Preço de referência
USD 25.392
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
HiPerFET™ MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXFN55N50 Especificações

Número da peça de fabricante IXFN55N50
Número da peça futura FT-IXFN55N50
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HiPerFET™
IXFN55N50 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 625W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SOT-227B
Pacote / caso SOT-227-4, miniBLOC
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN55N50 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXFN55N50-FT

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