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IXYS IXFH150N17T2

Número da peça MFG
IXFH150N17T2
Quantidade disponível
24170 Peças
Preço de referência
USD 5.002136
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXFH150N17T2 Especificações

Número da peça de fabricante IXFH150N17T2
Número da peça futura FT-IXFH150N17T2
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFH150N17T2 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 175V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 233nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14600pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 880W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH150N17T2 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXFH150N17T2-FT

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