casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFL82N60P
Número da peça de fabricante | IXFL82N60P |
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Número da peça futura | FT-IXFL82N60P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFL82N60P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 41A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 625W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS264™ |
Pacote / caso | ISOPLUS264™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFL82N60P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFL82N60P-FT |
SUP70030E-GE3
Vishay Siliconix
BSM400C12P3G202
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BSM600C12P3G201
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DMG4N60SJ3
Diodes Incorporated
SCT2080KEHRC11
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SCT3017ALHRC11
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SCT3030KLHRC11
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XCV50-6TQ144C
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LCMXO2-256HC-4SG32C
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LFE5UM-45F-8BG554C
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M1AGL250V5-VQ100
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EPF10K100ABC600-1
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5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation