casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFL60N80P
Número da peça de fabricante | IXFL60N80P |
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Número da peça futura | FT-IXFL60N80P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFL60N80P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 625W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS264™ |
Pacote / caso | ISOPLUS264™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFL60N80P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFL60N80P-FT |
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LFE2M70SE-6FN900I
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EP4SGX70HF35C2G
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