casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFL40N110P
Número da peça de fabricante | IXFL40N110P |
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Número da peça futura | FT-IXFL40N110P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFL40N110P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS264™ |
Pacote / caso | ISOPLUS264™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFL40N110P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFL40N110P-FT |
SUM70030E-GE3
Vishay Siliconix
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Microchip Technology
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