casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK102N30P
Número da peça de fabricante | IXFK102N30P |
---|---|
Número da peça futura | FT-IXFK102N30P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXFK102N30P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 102A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 700W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-264AA (IXFK) |
Pacote / caso | TO-264-3, TO-264AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK102N30P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFK102N30P-FT |
APTM50UM09FAG
Microsemi Corporation
APTM20UM03FAG
Microsemi Corporation
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM05G
Microsemi Corporation
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120U10SAG
Microsemi Corporation
APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation
APTM10UM01FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45FAG
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel