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Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G

Name: APTM120DA30CT1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DA30CT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (88 reviews)

Número da peça MFG: APTM120DA30CT1G

Quantidade disponível: 16630 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: Microsemi Corporation

Descrição breve: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: APTM120DA30CT1G.pdf

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APTM120DA30CT1G Especificações

Número da peça de fabricante	APTM120DA30CT1G
Número da peça futura	FT-APTM120DA30CT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	POWER MOS 8™
APTM120DA30CT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14560pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	657W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SP1
Pacote / caso	SP1
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA30CT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	APTM120DA30CT1G-FT

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