casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH26N60P
Número da peça de fabricante | IXFH26N60P |
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Número da peça futura | FT-IXFH26N60P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHV™ |
IXFH26N60P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 460W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD (IXFH) |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH26N60P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFH26N60P-FT |
IXFT14N100
IXYS
IXFT15N100Q
IXYS
IXFT15N80Q
IXYS
IXFT16N90Q
IXYS
IXFT17N80Q
IXYS
IXFT20N60Q
IXYS
IXFT20N80Q
IXYS
IXFT21N50Q
IXYS
IXFT23N60Q
IXYS
IXFT23N80Q
IXYS
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel