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Número da peça de fabricante | ISC1210ER3R9K |
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Número da peça futura | FT-ISC1210ER3R9K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210ER3R9K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 3.9µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 250mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 58MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER3R9K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210ER3R9K-FT |
ISC1210EB330K
Vishay Dale
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ISC1210EB3R9J
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ISC1210EB470K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel