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Número da peça de fabricante | ISC1210EB470J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB470J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB470J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 100mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 8 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 13MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB470J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB470J-FT |
ISC1210BN33NM
Vishay Dale
ISC1210BN390K
Vishay Dale
ISC1210BN39NJ
Vishay Dale
ISC1210BN39NM
Vishay Dale
ISC1210BN3R3J
Vishay Dale
ISC1210BN3R3K
Vishay Dale
ISC1210BN3R9J
Vishay Dale
ISC1210BN3R9K
Vishay Dale
ISC1210BN470J
Vishay Dale
ISC1210BN470K
Vishay Dale
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation