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Número da peça de fabricante | ISC1210ER3R3J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210ER3R3J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210ER3R3J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 270mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 60MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER3R3J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210ER3R3J-FT |
ISC1210EB2R7J
Vishay Dale
ISC1210EB2R7K
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ISC1210EB39NJ
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ISC1210EB3R3J
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ISC1210EB3R3K
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ISC1210EB3R9J
Vishay Dale
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel