casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / ISC1210EB2R7K
Número da peça de fabricante | ISC1210EB2R7K |
---|---|
Número da peça futura | FT-ISC1210EB2R7K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB2R7K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.7µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 290mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 60MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB2R7K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB2R7K-FT |
ISC1210BN220J
Vishay Dale
ISC1210BN220K
Vishay Dale
ISC1210BN22NK
Vishay Dale
ISC1210BN270K
Vishay Dale
ISC1210BN2R2J
Vishay Dale
ISC1210BN2R2K
Vishay Dale
ISC1210BN2R7J
Vishay Dale
ISC1210BN2R7K
Vishay Dale
ISC1210BN330J
Vishay Dale
ISC1210BN330K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation