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Número da peça de fabricante | ISC1210BN33NM |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN33NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN33NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 33nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 585mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN33NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN33NM-FT |
744782033
Wurth Electronics Inc.
744782039
Wurth Electronics Inc.
744782047
Wurth Electronics Inc.
744782056
Wurth Electronics Inc.
744782068
Wurth Electronics Inc.
744782082
Wurth Electronics Inc.
74478210
Wurth Electronics Inc.
74478212
Wurth Electronics Inc.
74478215
Wurth Electronics Inc.
74478218
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel