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Número da peça de fabricante | ISC1210BN2R7J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN2R7J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN2R7J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.7µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 290mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 60MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN2R7J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN2R7J-FT |
744782015
Wurth Electronics Inc.
744782018
Wurth Electronics Inc.
744782022
Wurth Electronics Inc.
744782027
Wurth Electronics Inc.
744782033
Wurth Electronics Inc.
744782039
Wurth Electronics Inc.
744782047
Wurth Electronics Inc.
744782056
Wurth Electronics Inc.
744782068
Wurth Electronics Inc.
744782082
Wurth Electronics Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel