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Número da peça de fabricante | ISC1210EB12NM |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB12NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB12NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 12nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 750mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB12NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB12NM-FT |
ISC1210ER1R0K
Vishay Dale
ISC1210ER100K
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ISC1210BN120K
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XC3S400-4FG456I
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5SGXMA3K3F40C4N
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EP4SE530F43C4ES
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XC5VLX50-2FF1153I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780C7N
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