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Número da peça de fabricante | ISC1210BN100J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN100J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN100J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 185mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 30MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN100J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN100J-FT |
744902133
Wurth Electronics Inc.
744902139
Wurth Electronics Inc.
744902147
Wurth Electronics Inc.
744902156
Wurth Electronics Inc.
744902168
Wurth Electronics Inc.
74479762122
Wurth Electronics Inc.
74479762133
Wurth Electronics Inc.
74479762168
Wurth Electronics Inc.
744901010
Wurth Electronics Inc.
744901012
Wurth Electronics Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel