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Vishay Siliconix IRLD110

Número da peça MFG
IRLD110
Quantidade disponível
18430 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRLD110 Especificações

Número da peça de fabricante IRLD110
Número da peça futura FT-IRLD110
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
IRLD110 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLD110 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRLD110-FT

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