casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLD110
Número da peça de fabricante | IRLD110 |
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Número da peça futura | FT-IRLD110 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRLD110 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLD110 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLD110-FT |
TK7Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W5,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100L60W,VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3R1P04PL,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation