casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLD110
Número da peça de fabricante | IRLD110 |
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Número da peça futura | FT-IRLD110 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRLD110 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLD110 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLD110-FT |
TK7Q60W,S1VQ
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