casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IRG8P60N120KD-EPBF
Número da peça de fabricante | IRG8P60N120KD-EPBF |
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Número da peça futura | FT-IRG8P60N120KD-EPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRG8P60N120KD-EPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 120A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
Potência - Max | 420W |
Energia de comutação | 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 345nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 40ns/240ns |
Condição de teste | 600V, 40A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 210ns |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG8P60N120KD-EPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRG8P60N120KD-EPBF-FT |
IXYP10N65C3D1M
IXYS
IKD15N60RFATMA1
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Xilinx Inc.
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