casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXYP10N65C3D1M
Número da peça de fabricante | IXYP10N65C3D1M |
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Número da peça futura | FT-IXYP10N65C3D1M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | XPT™, GenX3™ |
IXYP10N65C3D1M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 15A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 50A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
Potência - Max | 53W |
Energia de comutação | 240µJ (on), 170µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 18nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 20ns/77ns |
Condição de teste | 400V, 10A, 50 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 26ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYP10N65C3D1M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXYP10N65C3D1M-FT |
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