casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ1200R17KE3B2NOSA1
Número da peça de fabricante | FZ1200R17KE3B2NOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FZ1200R17KE3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | - |
Termistor NTC | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ1200R17KE3B2NOSA1-FT |
FS150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS150R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XL4BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel