casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3709Z-701P
Número da peça de fabricante | IRFU3709Z-701P |
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Número da peça futura | FT-IRFU3709Z-701P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU3709Z-701P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 86A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2330pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 79W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3709Z-701P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU3709Z-701P-FT |
IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R3K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R750P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R650CEATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel