casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU2905Z
Número da peça de fabricante | IRFU2905Z |
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Número da peça futura | FT-IRFU2905Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU2905Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU2905Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU2905Z-FT |
BSZ0901NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0902NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ146N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ300N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BTS282ZE3230AKSA2
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel