casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ0902NSIATMA1
Número da peça de fabricante | BSZ0902NSIATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSZ0902NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSZ0902NSIATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSDSON-8-FL |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0902NSIATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSZ0902NSIATMA1-FT |
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R460CEXKSA1
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IPA80R600P7XKSA1
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IPA80R650CEXKSA1
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IPA80R900P7XKSA1
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IPA95R1K2P7XKSA1
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IPA95R450P7XKSA1
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IPA95R750P7XKSA1
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IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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EP20K200EBC356-1
Intel