casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ0502NSIATMA1
Número da peça de fabricante | BSZ0502NSIATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSZ0502NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSZ0502NSIATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSDSON-8-FL |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0502NSIATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSZ0502NSIATMA1-FT |
IPA65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R380E6XKSA1
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IPA65R400CEXKSA1
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IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA1
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IPA80R1K4CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel