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Infineon Technologies IRFSL23N20D

Número da peça MFG
IRFSL23N20D
Quantidade disponível
97030 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRFSL23N20D Especificações

Número da peça de fabricante IRFSL23N20D
Número da peça futura FT-IRFSL23N20D
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRFSL23N20D Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-262
Pacote / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL23N20D Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRFSL23N20D-FT

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