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Infineon Technologies IRFSL23N20D102P

Name: IRFSL23N20D102P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL23N20D102P
Availability: InStock
Rating: 4.6 (561 reviews)

Número da peça MFG: IRFSL23N20D102P

Quantidade disponível: 90390 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFSL23N20D102P.pdf

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IRFSL23N20D102P Especificações

Número da peça de fabricante	IRFSL23N20D102P
Número da peça futura	FT-IRFSL23N20D102P
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFSL23N20D102P Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1960pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-262
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL23N20D102P Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFSL23N20D102P-FT

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