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Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Name: TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Price: 0.392 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (303 reviews)

Número da peça MFG: TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Quantidade disponível: 93770 Peças

Preço de referência: USD 0.392

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVI MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TJ10S04M3L(T6L1,NQ.pdf

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TJ10S04M3L(T6L1,NQ Especificações

Número da peça de fabricante	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Número da peça futura	FT-TJ10S04M3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVI
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	27W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK+
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TJ10S04M3L(T6L1,NQ-FT

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