casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFI744GPBF
Número da peça de fabricante | IRFI744GPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFI744GPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFI744GPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 450V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 40W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI744GPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFI744GPBF-FT |
2SJ304(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,Q,M)
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2SJ438(CANO,A,Q)
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2SJ438(CANO,Q,M)
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2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel