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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F)
- Número da peça MFG
- 2SJ304(F)
- Quantidade disponível
- 11020 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- - MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- 2SJ304(F).pdf
2SJ304(F) Especificações
| Número da peça de fabricante | 2SJ304(F) |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-2SJ304(F) |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| 2SJ304(F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 40W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220NIS |
| Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SJ304(F) Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | 2SJ304(F)-FT |
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