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Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

Name: IRFHM8363TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (42 reviews)

Número da peça MFG: IRFHM8363TR2PBF

Quantidade disponível: 68230 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFHM8363TR2PBF.pdf

IRFHM8363TR2PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFHM8363TR2PBF
Número da peça futura	FT-IRFHM8363TR2PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFHM8363TR2PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Potência - Max	2.7W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8363TR2PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFHM8363TR2PBF-FT

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