casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF7341PBF
Número da peça de fabricante | IRF7341PBF |
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Número da peça futura | FT-IRF7341PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF7341PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7341PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF7341PBF-FT |
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A54SX08A-2TQ144
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XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
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EP4CE15F23C6N
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EP3SL340F1517C3N
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5CEBA4U19C7N
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EP20K1000EBC652-1
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