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Infineon Technologies IRF7341PBF

Número da peça MFG
IRF7341PBF
Quantidade disponível
45130 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF7341PBF Especificações

Número da peça de fabricante IRF7341PBF
Número da peça futura FT-IRF7341PBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF7341PBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Potência - Max 2W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7341PBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF7341PBF-FT

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