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Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1

Name: BSC252N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC252N10NSFGATMA1
Price: 0.385416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (177 reviews)

Número da peça MFG: BSC252N10NSFGATMA1

Quantidade disponível: 81720 Peças

Preço de referência: USD 0.385416

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSC252N10NSFGATMA1.pdf

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BSC252N10NSFGATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSC252N10NSFGATMA1
Número da peça futura	FT-BSC252N10NSFGATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSC252N10NSFGATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.2A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 43µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	78W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC252N10NSFGATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSC252N10NSFGATMA1-FT

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