casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9317PBF

| Número da peça de fabricante | IRF9317PBF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRF9317PBF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRF9317PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2820pF @ 15V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF9317PBF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRF9317PBF-FT |

IRF7807A
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