casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH7188TRPBF
Número da peça de fabricante | IRFH7188TRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFH7188TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7188TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 105A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2116pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 132W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7188TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH7188TRPBF-FT |
BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC093N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC094N03S G
Infineon Technologies
BSC097N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel