casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC0909NSATMA1
Número da peça de fabricante | BSC0909NSATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC0909NSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC0909NSATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 34V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 44A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0909NSATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC0909NSATMA1-FT |
IRFH8202TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8316TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8334TRPBF
Infineon Technologies
IRLH7134TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies
AUIRFN7107TR
Infineon Technologies
AUIRFN8401TR
Infineon Technologies
AUIRFN8403TR
Infineon Technologies
AUIRFN8405TR
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel