casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5250TR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFH5250TR2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFH5250TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFH5250TR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7174pF @ 13V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5250TR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH5250TR2PBF-FT |
IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDAFKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation